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SK海力士戰三星 傳HBM4E邏輯晶片考慮台積電3奈米製程 – 進盛工程行

SK海力士戰三星 傳HBM4E邏輯晶片考慮台積電3奈米製程

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(中央社首爾20日綜合外電報導)韓國「朝鮮日報」旗下商業新聞網站Chosun Biz今天報導,韓國記憶體大廠SK海力士正強烈考慮讓其第7代高頻寬記憶體(HBM)HBM4E的邏輯裸晶片,以台積電3奈米製

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